| 发明名称 | 薄膜场效应晶体管器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管器件及其制备方法，该方法包括：对SOI衬底的绝缘薄膜层上面的单晶硅薄膜层进行光刻和刻蚀，以刻蚀后的单晶硅薄膜层作为沟道；在制备出单晶硅沟道的SOI衬底的上面制备栅极绝缘层；制备栅极，以及制备漏电极和源电极。采用SOI衬底上的单晶硅薄膜作为沟道材料，提高了薄膜场效应晶体管器件的均匀性和载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN102646592B | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201110113190.4 | 申请日期 | 2011.05.03 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李延钊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种薄膜场效应晶体管器件制备方法，其特征在于，包括：对SOI衬底的绝缘薄膜层上面的单晶硅薄膜层进行刻蚀，以刻蚀后的单晶硅薄膜层作为沟道；在制备出单晶硅沟道的SOI衬底的上面制备栅极绝缘层；以所述SOI衬底包含的绝缘薄膜层下面的单晶硅衬底层作为栅极，以及制备漏电极和源电极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||