| 发明名称 | 接面位障萧特基二极管 | ||
| 摘要 | 一种接面位障萧特基二极管，包含：硅基板，具有上表面，下方具有N型埋层，上表面以及N型埋层之间为N型井；第一P型掺杂区，设置于N型井之中，并由上表面向下延伸；一金属层，覆盖于上表面，并位于第一P型掺杂区的一侧的上方；第二P型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧；以及第一N型掺杂区，设置于N型井之中，由上表面向下延伸，并位于第一P型掺杂区的另一侧。 | ||
| 申请公布号 | CN104183653A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201410274278.8 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 洪崇佑;杨清尧;高字成;黄宗义;翁武得 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人 | 叶树明 |
| 主权项 | 一种接面位障萧特基二极管，其特征在于，所述接面位障萧特基二极管包含：一硅基板，具有一上表面，所述硅基板相对于所述上表面的下方具有一N型埋层，所述硅基板的所述上表面以及所述N型埋层之间是为一N型井；一第一P型掺杂区，设置于所述N型井之中，并由所述上表面向下延伸；一金属层，覆盖于所述上表面，并位于所述第一P型掺杂区的一侧的上方；一第二P型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧；以及一第一N型掺杂区，设置于所述N型井之中，由所述上表面向下延伸，并位于所述第一P型掺杂区的另一侧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元一街8号14楼 | ||