太阳能电池

摘要

本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。

主权项

一种太阳能电池，所述太阳能电池包含：基板；在所述基板上的第一电极；第二电极；和位于所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个光电转换单元，所述至少一个光电转换单元包含p‑型半导体层、本征(称作i‑型)半导体层、n‑型半导体层和位于所述p‑型半导体层与所述i‑型半导体层之间的缓冲层，所述缓冲层的氢含量高于所述i‑型半导体层的氢含量，其中，所述i‑型半导体层由微晶硅形成，并且邻近所述缓冲层与所述i‑型半导体层之间的结位置的所述i‑型半导体层的结晶度大于或等于在所述i‑型半导体层与所述n‑型半导体层之间的结位置中的所述i‑型半导体层的结晶度的50%，其中所述缓冲层的厚度小于所述p‑型半导体层的厚度，并且其中所述i‑型半导体的氢含量为3%～5%，且所述缓冲层的氢含量为12%～30%。