一种紫外/红外双色探测器及其制造方法

摘要

本发明属于半导体光电探测器制造技术，特别涉及一种CdS/InSb双色探测器的结构及其制造方法。所述紫外/红外双色探测器包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3]，其中，所述钝化层[4]覆盖于InSb探测器[5]之上，露出InSb电极[1]，CdS光敏薄膜[2]沉积于钝化层[4]之上，CdS电极层[3]沉积于CdS光敏薄膜[2]之上，所述CdS光敏薄膜[2]的光敏面与InSb探测器[5]光敏面在垂直方向上相重叠。本发明探测器生产设备和工艺简单，成品率高，成本低，可靠性高，具有较大的实际应用价值和经济效益。

主权项

一种紫外/红外双色探测器，其特征在于：包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3]，其中，所述钝化层[4]覆盖于InSb探测器[5]之上，露出InSb电极[1]，CdS光敏薄膜[2]沉积于钝化层[4]之上，CdS电极层[3]沉积于CdS光敏薄膜[2]之上，所述CdS光敏薄膜[2]的光敏面与InSb探测器[5]光敏面在垂直方向上相重叠。