集成电路金属互连线结构

摘要

本实用新型提供一种集成电路金属互连线结构，包括半导体衬底及形成于其上的至少一层金属层，相邻金属层之间形成有层间介质层；所述金属层包括至少一条金属互连线，所述金属互连线中形成有若干纵向长条形通槽或倾斜长条形通槽，所述金属互连线的长度大于布莱什长度。本实用新型通过在金属互连线中设置纵向或倾斜长条形通槽，使得金属互连线类似于由若干段短导线连接而成，每一段短导线的长度均小于布莱什长度，从而有效抑制金属互连线的电迁移，而总的金属互连线长度又可以远大于布莱什长度，从而大幅减少互连金属层的层数，降低集成电路复杂性，提高器件可靠性；横向长条形通槽可以使应力分布更加均匀，进一步降低晶界扩散，改善电迁移。

主权项

一种集成电路金属互连线结构，包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底上的至少一层金属层，相邻金属层之间形成有层间介质层；所述金属层包括至少一条金属互连线，其特征在于：所述金属互连线中形成有若干纵向长条形通槽或倾斜长条形通槽，所述金属互连线的长度大于布莱什长度。