发明名称 一种高散热高光效低光衰的大功率LED
摘要 本实用新型公开了一种高散热高光效低光衰的大功率LED,包括散热装置、基板和LED芯片,所述的散热装置环绕在基板周围,所述的LED芯片封装分布在基板上。所述的基板表面设有银胶涂层,基板表面和银胶涂层的接触面为凹凸槽面;所述的LED芯片表面上依次设有石墨烯改性荧光粉胶层和石墨烯改性硅胶层,所述的石墨烯改性荧光粉胶层由荧光粉、硅胶和石墨烯组成,所述的石墨烯改性硅胶层由石墨烯和硅胶组成。本实用新型的一种高散热高光效低光衰的大功率LED具有散热性能优异、光效高和光衰低的特点。
申请公布号 CN203979961U 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201420392366.3 申请日期 2014.07.16
申请人 惠州市隆和光电有限公司 发明人 吴玉龙
分类号 F21S2/00(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;F21V19/00(2006.01)I;F21V9/16(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 F21S2/00(2006.01)I
代理机构 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人 童海霓
主权项 一种高散热高光效低光衰的大功率LED,包括散热装置(1)、基板(2)和LED芯片(4),所述的散热装置(1)环绕在基板(2)周围,所述的LED芯片(4)封装分布在基板(2)上,其特征在于:所述的基板(2)表面设有银胶涂层(3),基板(2)表面和银胶涂层(3)的接触面为凹凸槽面;所述的LED芯片(4)表面上依次设有石墨烯改性荧光粉胶层(5)和石墨烯改性硅胶层(6),所述的石墨烯改性硅胶层(6)为多层叠合结构,所述石墨烯改性硅胶层(6)的厚度由LED芯片(4)接触内层向外层依次增加。
地址 516008 广东省惠州市仲恺高新区陈江仲恺六路258号A栋3楼