半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件，仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路，从而减少制造步骤，并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205)，并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时，通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD，这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号，不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

主权项

一种有源矩阵液晶显示器件，包括：包含象素薄膜晶体管的象素；以及电连接到所述象素薄膜晶体管的栅极的驱动电路，所述驱动电路包括：第一薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接到所述第一薄膜晶体管的源极和漏极中之一；第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；第三薄膜晶体管，其中，所述第三薄膜晶体管的栅极电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个，以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中所述之一；第四薄膜晶体管，其中，所述第四薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第三薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，以及所述第四薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；第五薄膜晶体管，其中，所述第五薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第二薄膜晶体管的栅极；第六薄膜晶体管，其中，所述第六薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第五薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中所述之一；第七薄膜晶体管，其中，所述第七薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第五薄膜晶体管的栅极；第八薄膜晶体管，其中，所述第八薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第七薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中所述之一；第九薄膜晶体管，其中，所述第九薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第八薄膜晶体管的栅极；第十薄膜晶体管，其中，所述第十薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第九薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中所述之一；第十一薄膜晶体管，其中，所述第十一薄膜晶体管的栅极电连接到所述第十薄膜晶体管的栅极，以及所述第十一薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第十薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；以及第十二薄膜晶体管，其中，所述第十二薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第十一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，其中，所述象素薄膜晶体管和所述第一到第十二薄膜晶体管具有相同的导电类型。