功率用半导体装置及其制造方法

摘要

在高速地进行转换的功率用半导体装置中，由于转换时流过位移电流而产生高电压，有时如栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜的绝缘被破坏。本发明的半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(80)；形成于所述半导体衬底的第1主面的第1导电型的漂移层(70)；形成于所述漂移层的表层的一部分的第2导电型的第1阱区域(50)；在所述漂移层的表层的一部分处与所述第1阱区域隔开间隔地设置的从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域(51)；形成于所述第1阱区域的表层的杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域(55)；接触在所述第1阱区域的表面上而形成的栅极绝缘膜(32)；以及接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成的栅电极(21)。

主权项

一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体衬底；第1导电型的漂移层，形成于所述半导体衬底的第1主面；第2导电型的第1阱区域，形成于所述漂移层的表层的一部分；从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域，该第2阱区域与所述第1阱区域离开间隔地设置于所述漂移层的表层的一部分；杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域，该低电阻区域形成于所述第1阱区域的表层；栅极绝缘膜，接触在所述第1阱区域以及所述低电阻区域的表面上而形成；栅电极，接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成；源电极焊盘；阱接触孔，连接所述第1阱区域与所述源电极焊盘；以及源极接触孔，连接所述第2阱区域与所述源电极焊盘，其中，在所述阱接触孔下部的区域中，所述源电极焊盘与所述低电阻区域相互接触，在所述阱接触孔下部具备杂质浓度比所述低电阻区域高的接触区域。