电熔丝结构及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供一种电熔丝结构及其形成方法、半导体器件。其中，电熔丝结构的形成方法包括提供半导体衬底，所述衬底具有凸起鳍部，鳍部为半导体材料，鳍部进行了第一类型掺杂；对鳍部顶部进行第二类型掺杂，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部作为熔丝；或者，对鳍部顶部进行第二类型掺杂，之后，在鳍部上形成金属硅化物，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部和金属硅化物共同作为熔丝，第二与第一类型相反，且第二类型掺杂的掺杂剂量大于第一类型掺杂的掺杂剂量；形成层间介质层，覆盖熔丝和所述衬底；在层间介质层内形成导电插塞，导电插塞在熔丝的两端。本发明提供了一种在鳍部上形成电熔丝结构的方法，以实现在半导体器件上形成电熔丝结构方法的多样性。

主权项

一种电熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有凸起的鳍部，所述鳍部的材料为半导体材料，所述鳍部进行了第一类型掺杂；对所述鳍部的顶部进行第二类型掺杂，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部作为熔丝；或者，对所述鳍部的顶部进行第二类型掺杂，之后，在所述鳍部上形成金属硅化物，进行了第二类型掺杂的鳍部顶部和所述金属硅化物共同作为熔丝，所述第二类型与第一类型相反，且所述第二类型掺杂的掺杂剂量大于第一类型掺杂的掺杂剂量；形成层间介质层，覆盖所述熔丝和所述半导体衬底；在所述层间介质层内形成导电插塞，所述导电插塞在所述熔丝的两端。