发明名称 | 高能量离子注入装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种高能量离子注入装置,维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性,并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高频多段直线加速单元;偏转单元,包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置;射束传输线单元;及基板处理供给单元。该装置中,在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外,还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。 | ||
申请公布号 | CN104183447A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
申请号 | CN201410172111.0 | 申请日期 | 2014.04.25 |
申请人 | 斯伊恩股份有限公司 | 发明人 | 椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;稻田耕二;佐野信 |
分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
主权项 | 一种高能量离子注入装置,其对从离子源提取的离子束进行加速,沿着射束线传输到晶片并注入到该晶片中,所述高能量离子注入装置的特征在于,具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高频多段直线加速单元,对所述离子束进行加速而生成高能量离子束;偏转单元,包括一边使所述高能量离子束朝向晶片进行方向转换一边以动量进行离子的过滤的磁场式能量分析装置;射束传输线单元,将已偏转的高能量离子束传输到晶片;及基板处理供给单元,将传输到的高能量离子束均匀地注入到半导体晶片中,所述射束传输线单元具有高能量用射束扫描器和高能量用电场式射束平行化器,并构成为通过所述射束扫描器及所述电场式射束平行化器对从所述偏转单元出来的高能量离子束进行射束扫描并且将其平行化,从而注入到所述晶片中,在所述高能量离子注入装置中,在所述电场式射束平行化器与晶片之间,除了作为动量过滤器的磁场式所述质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外,还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。 | ||
地址 | 日本东京都 |