| 发明名称 |
发光二极管芯片 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管芯片，其包括：N型半导体层；活性层，其设置在该N型半导体层上；P型半导体层，其设置在该活性层上；透明导电层，其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜；N型电极，其连接该N型半导体层；P型电极，其设置在该透明导电层上；以及保护层，其覆盖透明导电层，该保护层包括氮化硅材料。 |
| 申请公布号 |
CN104183681A |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
| 申请号 |
CN201310191843.X |
申请日期 |
2013.05.22 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
洪梓健;沈佳辉;彭建忠 |
| 分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管芯片，其包括：N型半导体层；活性层，其设置在该N型半导体层上；P型半导体层，其设置在该活性层上；透明导电层，其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜；N型电极，连接该N型半导体层；P型电极，其设置在该透明导电层上；以及保护层，覆盖透明导电层，该保护层包括氮化硅材料。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
