| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可以提高电阻变化元件的特性的半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：在第一基板的正面侧具有选择晶体管的第一部件；以及具有电阻变化元件和与所述电阻变化元件接触的连接层的第二部件，所述连接层与第一部件的背面接合。 | ||
| 申请公布号 | CN104183613A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201410205486.2 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 庄子光治;藤原一郎 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 梁兴龙;陈桂香 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：在第一基板的正面侧具有选择晶体管的第一部件；以及具有电阻变化元件和与所述电阻变化元件接触的连接层的第二部件，所述连接层与第一部件的背面接合。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||