发明名称 半导体器件
摘要 其中甚至在没有提供电力时也能够保持已存储数据并且对写入次数没有限制的具有新结构的半导体器件。在半导体器件中,各包括第一晶体管、第二晶体管和电容器的多个存储器单元以矩阵设置,以及用于将一个存储器单元连接到另一个存储器单元的布线(又称作位线)与第一晶体管的源或漏电极通过第二晶体管的源或漏电极相互电连接。相应地,布线的数量能够比第一晶体管的源或漏电极和第二晶体管的源或漏电极连接到不同布线的情况下要小。因此,半导体器件的集成度能够提高。
申请公布号 CN102725842B 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201180008328.2 申请日期 2011.01.12
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 加藤清;长塚修平;井上广树;松崎隆德
分类号 H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I 主分类号 H01L21/8247(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 叶晓勇;李家麟
主权项 一种半导体器件,包括:多个存储器单元,各包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管包括:第一沟道形成区;第一栅绝缘层,设置在所述第一沟道形成区之上;第一栅电极,设置在所述第一栅绝缘层之上,与所述第一沟道形成区重叠;以及第一源电极和第一漏电极,电连接到所述第一沟道形成区,所述第二晶体管包括:第二沟道形成区;第二源电极和第二漏电极,电连接到所述第二沟道形成区;第二栅电极,与所述第二沟道形成区重叠;以及第二栅绝缘层,设置在所述第二沟道形成区与所述第二栅电极之间,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管设置成使得至少部分所述第一晶体管和部分所述第二晶体管相互重叠,以及其中将所述存储器单元互相连接的布线在相同的存储器单元中通过所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个电连接到所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个。
地址 日本神奈川县厚木市