发明名称 |
一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:1)以SiC粉体、B<sub>4</sub>C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料;2)将所述原料配成固含量为40-45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900-2300℃,保温时间为1-2h。所制得的陶瓷材料不但具有良好的摩擦性能,并且具有较高的密度及抗弯强度。 |
申请公布号 |
CN102765940B |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201110114635.0 |
申请日期 |
2011.05.04 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
陈健;黄政仁;刘学建;高剑琴 |
分类号 |
C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/565(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种微孔碳化硅陶瓷,由所述固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法制得,包括如下步骤:1)原料由SiC粉体、B<sub>4</sub>C粉体、球形PMMA和酚醛树脂组成,其中,以SiC粉体和B<sub>4</sub>C粉体的总重量为基准计,B<sub>4</sub>C占0.5~0.52%;球形PMMA为SiC粉体和B<sub>4</sub>C粉体总重量的1~5.2%,酚醛树脂为SiC粉体和B<sub>4</sub>C粉体总重量的10~10.5%;2)将所述原料配成固含量为40‑45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900‑2300℃,保温时间为1‑2h;所述干压成型后还进行等静压处理;所述干压成型的压力为15‑100MPa;所述等静压的压力为190‑210MPa;所述碳化硅陶瓷的密度为2.90‑3.08gcm<sup>‑3</sup>,抗弯强度为250‑450MPa。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |