半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

公开了半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：基板上的由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上的由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层上的绝缘层；形成在第二半导体层上的源极电极和漏极电极；以及形成在绝缘层上的栅极电极。绝缘层由包括氧化物的材料形成，并且通过从第二半导体层侧开始按照第一绝缘层随后是第二绝缘层的放置顺序层叠第一绝缘层和第二绝缘层来形成，并且包括在第一绝缘层的每单位体积中的烃基的量小于包括在第二绝缘层的每单位体积中的烃基的量。

主权项

一种半导体装置，包括：基板上的、由氮化物半导体形成的第一半导体层；所述第一半导体层上的、由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的绝缘层；形成在所述第二半导体层上的源极电极和漏极电极；以及形成在所述绝缘层上的栅极电极，其中，所述绝缘层由包括氧化物的材料形成，并且通过从所述第二半导体层侧开始、按第一绝缘层随后是第二绝缘层的放置顺序层叠所述第一绝缘层和所述第二绝缘层而形成，以及包括在所述第一绝缘层的每单位体积中的烃基的量小于包括在所述第二绝缘层的每单位体积中的烃基的量。