发明名称 制造半导体器件的方法
摘要 本发明涉及制造半导体器件的方法,以稳定地除去在密封步骤中在树脂提供路线中形成的树脂主体。引线框架在其子浇道部分中具有子通孔。在子浇道部分沿其延伸的第一方向上,子通孔具有位于主浇道部分一侧的第一部分和相对于第一部分位于浇口部分一侧的第二部分。在平面图中,子通孔的在第一方向上的开口宽度大于子通孔的在与第一方向垂直的第二方向上的开口宽度。在平面图中,子通孔的在第二方向上的开口宽度从第一部分向浇口部分一侧的第二部分的末端部分逐渐减小。
申请公布号 CN104183507A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201410226146.8 申请日期 2014.05.27
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 藤井浩志;田中茂樹;吉田一明
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 冯玉清
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括步骤:(a)提供引线框架,该引线框架具有:第一表面;与第一表面相对的第二表面;具有第一表面的第一区域和第二表面的第一区域的器件形成部分;具有第一表面的第二区域和第二表面的第二区域并且在平面图中形成在器件形成部分周围的框架部分;沿第一方向形成在框架部分的第一表面上的主浇道部分;与器件形成部分链接的浇口部分;形成在框架部分的第一表面上从而链接浇口部分和主浇道部分的子浇道部分;形成在主浇道部分中从而从第一表面和第二表面中的一个延伸到另一个的主通孔;以及形成在子浇道部分中从而从第一表面和第二表面中的一个延伸到另一个的子通孔,其中,在子浇道部分沿其延伸的第二方向上,子通孔具有位于主浇道部分一侧的第一部分和相对于第一部分位于浇口部分一侧的第二部分,其中,在平面图中,子通孔的沿第二方向的最大开口宽度大于子通孔的沿与第二方向垂直的第三方向的最大开口宽度,且其中,在平面图中,子通孔的沿第三方向的开口宽度从第一部分向第二部分的在浇口部分一侧的末端部分逐渐减小;(b)在步骤(a)之后,在器件形成部分上布置半导体芯片;(c)在步骤(b)之后,通过覆盖主浇道部分的成型模具的主浇道、覆盖子浇道部分的成型模具的子浇道、以及引线框架的浇口部分将树脂提供到覆盖器件形成部分处的半导体芯片的成型模具的腔体中,由此形成密封器件形成部分处的半导体芯片的器件密封部分、在主浇道部分处的主浇道密封部分、以及在子浇道部分处的子浇道密封部分;以及(d)在步骤(c)之后,从引线框架的第二表面侧将插销插入到主通孔和子通孔中的每一个中,并且由此使主浇道密封部分和子浇道密封部分与引线框架分离。
地址 日本神奈川