发明名称 | 一种纳米金属线导电薄膜 | ||
摘要 | 一种纳米金属线导电薄膜,包括:基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架,所述IC晶片固定设置于所述导线架上,所述封装件包覆所述IC晶片,其特征在于:所述基座开设有一凹型腔,所述凹型腔具有一开口端,所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部,所述导线架及与所述导线架相连接的内脚和外脚形成一容置空间,散热器设置于所述容置空间内。本实用新型使用的纳米银金属线使用合成工艺可以控制金属线直径,从400纳米到15纳米等长度可以控制在1um-30um,而银的导电性又是所有金属中最好的,本工艺使用多元醇合成法直接合成出纳米级银线,具有节能环保、简化工艺等优势。 | ||
申请公布号 | CN203983262U | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
申请号 | CN201420277587.6 | 申请日期 | 2014.05.28 |
申请人 | 刘兴栋 | 发明人 | 刘兴栋 |
分类号 | H01L23/492(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/492(2006.01)I |
代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人 | 万秀娟 |
主权项 | 一种纳米金属线导电薄膜,包括:基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架,所述IC晶片固定设置于所述导线架上,所述封装件包覆所述IC晶片,其特征在于:所述基座开设有一凹型腔,所述凹型腔具有一开口端,所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部,所述导线架及与所述导线架相连接的内脚和外脚形成一容置空间,散热器设置于所述容置空间内。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市光复路2段268号 |