发明名称 一种低功耗低温度系数的环形振荡器
摘要 振荡器被广泛应用于各种开关电路、数字电路等需要内部时钟的集成电路;在低功耗集成电路设计中,振荡器的功耗是衡量振荡器优劣的重要指标,振荡器输出时钟的温度系数决定了振荡器的频率随温度变化的偏差,较低的温度系数有利于提高系统的稳定性;在通常的低温度系数振荡器设计中,采用温度检测电路,根据检测的温度,调整电路,从而实现降低振荡器温度系数的目的,但是该结构需要增加温度检测电路,增加了振荡器的功耗和面积;针对这个问题,本发明公开了一种在低功耗条件下,具有低温度系数的环形振荡器;本发明中的电路由环形振荡电路和偏置电路组成。
申请公布号 CN104184469A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201410420371.5 申请日期 2014.08.25
申请人 长沙瑞达星微电子有限公司 发明人 李亚
分类号 H03L7/099(2006.01)I 主分类号 H03L7/099(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种电路结构,包括:环形振荡器核心电路中,利用电流对电容的充放电延时,但由于反相器的翻转电平随温度变化,导致振荡器输出时钟的温度系数较高;利用该发明的结构,偏置电路提供的电流温度系数可以与翻转电平的温度系数相互补偿,获得低温度系数的时钟信号;具体电路形式包含偏置电路、反相器电路、环形振荡电路三个部分;偏置电路(a)由3个NMOS管、1个PMOS管和1个电阻构成,NMOS偏置管(M<sub>NB1</sub>)的源级接地,NMOS偏置管(M<sub>NB1</sub>)的栅极、漏极和NMOS偏置管(M<sub>NB2</sub>)的源级相连,NMOS偏置管(M<sub>NB2</sub>)的栅极、漏极与NMOS偏置管(M<sub>NB3</sub>)的栅极相连并连接到外部偏置电流输入端I<sub>B</sub>,NMOS偏置管(M<sub>NB3</sub>)的源级连接到电阻(R)的一端,电阻(R)的另一端接地,NMOS偏置管(M<sub>NB3</sub>)的的漏极连接到PMOS偏置管(M<sub>PB0</sub>)的漏极和栅极,并连接到环形振荡电路反相器的偏置电压V<sub>PB</sub>,PMOS偏置管(M<sub>PB0</sub>)的源级接电源;反相器电路(b)由PMOS电流源管(M<sub>PBn</sub>)、PMOS开关管(M<sub>PKn</sub>)、NMOS开关管(M<sub>NKn</sub>)、延时电容(C<sub>n</sub>)组成,PMOS电流源管(M<sub>PBn</sub>)的源极接电源,PMOS电流源管(M<sub>PBn</sub>)的栅级连接到偏置电路(a)提供的偏置电压V<sub>PB</sub>,PMOS电流源管(M<sub>PBn</sub>)的漏极连接到PMOS开关管(M<sub>PKn</sub>)的源级,PMOS开关管(M<sub>PKn</sub>)的栅极连接到NMOS开关管(M<sub>NKn</sub>)的栅极作为反相器的输入端V<sub>IN_n</sub>,PMOS开关管(M<sub>PKn</sub>)的漏极连接到NMOS开关管(M<sub>NKn</sub>)的漏极,并连接到延时电容(C<sub>n</sub>)的一端作为反相器的输出端V<sub>O_n</sub>,延时电容(C<sub>n</sub>)的另一端接地或者电源,NMOS开关管(M<sub>NKn</sub>)的源级接地;环形振荡电流(b)由2k+1(k=1、2、3…)级首尾相连的反相器连接而成,第n级(X<sub>n</sub>)反相器的输入连接到第n‑1级(X<sub>n‑1</sub>)反相器的输出,第n级(X<sub>n</sub>)反相器的输出连接到第n+1的(X<sub>n+1</sub>)反相器输入,最后第2k+1级(X<sub>2k+1</sub>)反相器的输出连接到第1级(X<sub>1</sub>)反相器的输入,同时作为振荡器的输出CLK。
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