发明名称 一种高度集成的电磁双稳态MEMS继电器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高度集成的电磁双稳态MEMS继电器及其制备方法。所述继电器是在单一基片上集成了包括电磁驱动、弹性支撑、信号切换等继电器所有系统和永磁体的MEMS器件。制备方法包括在基片上溅射种子层、旋涂光刻胶、绝缘层,通过光刻、电镀等工序形成平面线圈、封闭磁轭、悬臂梁、弹性平台、磁轭平台、动静触点、信号线、支撑结构,通过释放法形成气隙并在弹性平台上安装永磁体成为完整的继电器。本发明通过MEMS技术在单个基片上集成了电磁双稳态继电器的所有系统,提高了集成度,减小了继电器体积、降低了继电器功耗、保证了继电器工作的可靠性,且简化了制作工艺,适合工业化批量生产。
申请公布号 CN104183426A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201410448769.X 申请日期 2014.09.04
申请人 上海工程技术大学 发明人 苗晓丹
分类号 H01H59/00(2006.01)I 主分类号 H01H59/00(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 何葆芳
主权项 一种高度集成的电磁双稳态MEMS继电器,包括基片和集成在基片上的电磁驱动系统、弹性支撑系统和永磁体,其特征在于:基片上还集成了信号切换系统;所述的电磁驱动系统包括多匝螺旋状平面线圈和封闭磁轭,线圈之间设有绝缘层,封闭磁轭分布于平面线圈的中央、底部和边缘;所述的弹性支撑系统包括磁轭平台和叠置在磁轭平台上面的弹性平台以及与弹性平台的四边分别固定连接的四个悬臂梁,每个悬臂梁的另一端均与一个支撑结构固定连接;所述的永磁体位于弹性支撑系统的弹性平台的上表面;所述的信号切换系统包括静触点、动触点和两个外接信号线,所述的静触点位于电磁驱动系统的上表面,与一个外接信号线连接,所述的动触点位于弹性支撑系统的底部,与另一个外接信号线连接;在动触点与静触点之间存在由四个支撑结构支撑所形成的气隙。
地址 201620 上海市松江区龙腾路333号