| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域，在第一区域表面形成第一栅极结构；在所述第一区域的衬底表面形成半导体层，所述半导体层覆盖部分第一栅极结构的侧壁，且所述半导体层表面低于第一栅极结构的顶部表面；在所述第一栅极结构两侧的半导体层内形成第一开口，所述第一开口的底部等于或高于第一栅极结构的底部；在所述第一开口内形成第一应力层。所述晶体管的形成方法易于在工艺中集成，能够简化制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN104183489A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310190300.6 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域，在第一区域表面形成第一栅极结构；在所述第一区域的衬底表面形成半导体层，所述半导体层覆盖部分第一栅极结构的侧壁，且所述半导体层表面低于第一栅极结构的顶部表面；在所述第一栅极结构两侧的半导体层内形成第一开口，所述第一开口的底部等于或高于第一栅极结构的底部；在所述第一开口内形成第一应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||