具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器

摘要

本实用新型公开了一种具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，已有CMOS光电探测器结构的半导体CMOS工艺限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型n-well阱区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、条栅型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅；本实用新型利用条栅型结构，增大耗尽区面积，同时由于吸收层较薄，光生载流子产生的电子-空穴对在吸收层中的渡越时间较小，可使器件获得较高的带宽，解决了光电探测器的量子效率和带宽之间相互制约的问题。通过改变光电探测器横向、纵向（三维）结构，使得这种新型器件在作为光电探测器工作时具有更高的响应度和带宽。

主权项

具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型n‑well阱区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、条栅型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅；其特征在于：距离p型半导体衬底表面2 um处设置有埋氧化层，p型半导体衬底上表面设有n型n‑well阱区，环形p型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n‑well阱区外侧，环形地电极设置在环形p型欧姆接触区上，环形的n型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n‑well阱区内侧，环形电压极设置在环形n型欧姆接触区上，在p型半导体衬底上表面且位于环形电压极内侧设置有多根互相平行的条栅型的PCOMP ；每根条栅型的PCOMP上设置输出电极；在p型半导体衬底1上表面各个电极之间覆盖一层氧化层，在氧化层的表面覆盖一层多晶硅。