| 发明名称 | 金属栅极晶体管的形成方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属栅极晶体管的形成方法及半导体器件，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层上形成伪栅极；在所述伪栅极的周围形成第一侧墙；去除未被所述第一侧墙和伪栅极覆盖住的介质层，以形成栅介质层；形成所述栅介质层之后，去除所述伪栅极，在所述伪栅极所在位置形成金属栅极。通过在伪栅极的周围形成第一侧墙，并以伪栅极和第一侧墙为掩模，对介质层进行刻蚀即可使得栅介质层的侧壁凸出于伪栅极的侧壁外，而不用通过现有非常复杂的刻蚀工艺控制来使得栅介质层的侧壁凸出于伪栅极的侧壁外，由此可见，该方法较为容易实现。另外，通过调节第一侧墙的厚度即可控制栅介质层的侧壁凸出量。 | ||
| 申请公布号 | CN104183473A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310190331.1 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏;何其暘 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅极晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层上形成伪栅极；在所述伪栅极的周围形成第一侧墙；去除未被所述第一侧墙和伪栅极覆盖住的介质层，以形成栅介质层；形成所述栅介质层之后，去除所述伪栅极，在所述伪栅极所在位置形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||