发明名称 薄膜型太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法,能够通过减小死区而实现提高太阳能电池的效率,其中,所述方法包括:在基板上形成多个前电极,其中所述多个前电极通过各个插置其间中的第一分隔部分以固定间隔形成;在包括所述前电极的所述基板的整个表面上形成半导体层和透明导电层;通过去除所述半导体层和所述透明导电层的预定部分形成与所述第一分隔部分接触的接触部分;通过去除所述透明导电层的预定部分形成第二分隔部分;以及形成经接触部分与前电极相连接的后电极。
申请公布号 CN102201500B 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201110129057.8 申请日期 2009.02.20
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 金宰湖;洪震
分类号 H01L31/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2014.01)I;H01L27/142(2014.01)I 主分类号 H01L31/20(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 陈英俊
主权项 一种薄膜型太阳能电池的制造方法,包括:在基板上形成前电极层;通过去除前电极层的预定部分形成第一分隔部分,从而通过所述第一分隔部分以固定间隔形成多个前电极;在包括所述前电极的所述基板的整个表面上形成半导体层和透明导电层;通过去除所述半导体层和所述透明导电层的预定部分形成接触部分;通过去除所述透明导电层的预定部分形成第二分隔部分,其中所述多个前电极不因所述第二分隔部分而被暴露;以及形成经接触部分与所述前电极相连接的多个后电极,其中所述多个后电极通过所述第二分隔部分以固定间隔形成,其中,用以形成所述接触部分的工艺包括如下步骤:去除设在所述前电极上的所述半导体层和所述透明导电层的预定部分从而使所述第一分隔部分的一端与所述接触部分的一端相接合。
地址 韩国京畿道