发明名称 | 金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法,根据本发明所提供的金属硅化物桥连测试结构,依次在每相邻的两个衬垫之间施加电压,如果两个相邻衬垫之间的电流值大于0,则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上存在金属硅化物;如果两个相邻衬垫之间的电流值等于0,则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上不存在金属硅化物。采用本发明的方案能够同时检测金属硅化物是否位于栅极前、后、左和右的侧壁层之上。 | ||
申请公布号 | CN102760725B | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
申请号 | CN201110105087.5 | 申请日期 | 2011.04.26 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种金属硅化物桥连测试结构,该结构包括:位于半导体衬底内的第一、二、三、四有源区,所述第一、二、三、四有源区均以隔离区彼此相隔;位于半导体衬底之上的栅极结构,所述栅极结构与所述第一、二、三、四有源区均存在重叠部分;位于半导体衬底之上、且分别位于栅极结构前、后、左、右侧的第一、二、三、四侧壁层,每相邻侧壁层均未相连;覆盖在所述第一、二、三、四有源区之上的金属硅化物,以及覆盖在所述栅极结构之上的金属硅化物;分别与所述第一、二、三、四有源区的金属硅化物相连的第一、二、三、四金属线,所述第一、二、三、四金属线末端分别连接有第一、二、三、四衬垫。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |