发明名称 用于纯化四氟化硅的方法
摘要 本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法,所述纯化工艺包括:将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳,以及通过低温蒸馏除去惰性化合物;本发明还提供适合从四氟化硅源气体中除去一氧化碳的催化剂和用于制备这样的催化剂的方法。
申请公布号 CN101918311B 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN200880108027.5 申请日期 2008.09.11
申请人 MEMC电子材料有限公司 发明人 维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆
分类号 C01B33/08(2006.01)I;B01J21/08(2006.01)I;B01J21/04(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/10(2006.01)I;C01B33/107(2006.01)I;B01J23/08(2006.01)I;B01J23/26(2006.01)I;B01J23/28(2006.01)I;B01J23/34(2006.01)I;B01J23/50(2006.01)I;B01J23/72(2006.01)I;B01J23/75(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;B01J37/02(2006.01)I 主分类号 C01B33/08(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 林柏楠;张蓉珺
主权项 一种用于制备纯化的四氟化硅气体的方法,所述方法包括:将包含四氟化硅和一氧化碳的四氟化硅源气体与包含具有表面的惰性基材和该表面上的催化金属氧化物的催化剂接触;以及通过使一氧化碳与催化金属氧化物反应以形成一种或多种金属羰基配合物使至少部分一氧化碳吸附于催化剂的表面,由此产生一氧化碳浓度下降的纯化的四氟化硅气流。
地址 美国密苏里州