一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。

主权项

一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件，包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管包括第一源极和第一漏极，在所述第一源极和第一漏极之间设有第一电流沟道区，所述第一电流沟道区之上设有第一浮栅，所述第一浮栅之上设有第一控制栅，所述第一控制栅通过电容耦合作用于所述第一浮栅；所述常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管包括第二源极和第二漏极，在所述第二源极和第二漏极之间设有第二电流沟道区，所述第二电流沟道区之上设有第二控制栅；所述第一源极与所述第二漏极连接，所述第一控制栅与所述第二控制栅连接，所述第一浮栅通过第一二极管与所述第二源极连接，所述第一二极管的阳极与所述第一浮栅连接，所述第一二极管的阴极与所述第二源极连接。