发明名称 <sup>68</sup>Ga发生器
摘要 本发明涉及一种<sup>68</sup>Ga发生器,其中其<sup>68</sup>Ge母核素通过三乙氧基苯基特异性附着至支持体,且持续衰变为<sup>68</sup>Ga,所述三乙氧基苯基通过连接物共价键合至支持体材料。
申请公布号 CN102446570B 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201110275294.5 申请日期 2011.08.25
申请人 ITM同位素技术慕尼黑股份公司 发明人 康斯坦丁·哲诺斯科夫;托墨·尼古拉
分类号 G21G4/04(2006.01)I;G21G4/08(2006.01)I;G21H5/02(2006.01)I;A61K51/00(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I 主分类号 G21G4/04(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 张爽;樊卫民
主权项 一种<sup>68</sup>Ga子核素的发生器,其中其<sup>68</sup>Ge母核素通过三羟基苯基或二羟基苯基特异性附着在支持体上,并通过在270.82天的半衰期内捕获电子连续衰变成<sup>68</sup>Ga,其特征在于所述三羟基苯基或二羟基苯基通过连接物共价键合至支持体材料,所述连接物选自:C<sub>2</sub>至C<sub>20</sub>酯,C<sub>2</sub>至C<sub>20</sub>烷基、苯基、硫脲、C<sub>2</sub>至C<sub>20</sub>胺、马来酰亚胺、三聚氰胺、三羟基苯基烷氧基硅烷、1,2,3‑三羟基苯基氯硅烷、环氧氯丙烷、异硫氰酸酯、硫醇。
地址 德国加兴