发明名称 |
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法,涉及液晶显示器制造领域,通过使用半透式掩摸或灰色调掩摸工艺,有效减少了利用掩膜板曝光的次数,从而降低了工序复杂度,在缩短了加工时间的同时降低了加工成本。其方法为:在基板上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成栅金属层;利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板,对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理,通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案。本发明实施例用于LTPS TFT-LCD制造。 |
申请公布号 |
CN102543860B |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201010612965.8 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
袁广才;王刚 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在基板上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成栅金属层;利用半透式掩膜板或灰色调掩摸板,对所述栅金属层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理,通过一次构图工艺得到包括栅电极和多晶硅半导体部分的图案,其中,所述多晶硅半导体放大的部分为0.5‑1.0μm。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |