| 发明名称 | 一种场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场效应晶体管，涉及半导体器件技术领域，为了能够使器件同时具备高击穿电压和高饱和输出电流而发明。该场效应晶体管，包括：衬底，形成于所述衬底上方的沟道层，形成于所述沟道层上方的势垒层，形成于所述势垒层上方的源极、漏极、栅极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，以及形成于所述栅极和所述漏极之间的至少一个欧姆接触金属条。本发明主要应用在使用三五族化合物半导体的场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN104183635A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310203111.8 | 申请日期 | 2013.05.28 |
| 申请人 | 北京天元广建科技研发有限责任公司 | 发明人 | 文正;林书勋;孟迪;吴文刚;郝一龙 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上方；势垒层，形成于所述沟道层的上方；源极、漏极、栅极，形成于所述势垒层的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；至少一个欧姆接触金属条，形成于所述栅极和所述漏极之间。 | ||
| 地址 | 102200 北京市昌平区邓庄西新汇园天元广建楼 | ||