具有一次辐射源和发光转换元件的半导体光源

摘要

本发明涉及一种半导体光源，具有：一次辐射源(1)，所述一次辐射源(1)在半导体光源运行中发出第一波长范围中的电磁一次辐射(5)；以及具有发光转换模块(2)，其中从一次辐射源(1)发出的一次辐射(5)被耦合输入到所述发光转换模块(2)中。发光转换模块(2)包含发光转换元件(6)，所述发光转换元件(6)借助于发光材料吸收来自第一波长范围的一次辐射(5)并且发出第二波长范围中的电磁二次辐射(15)。发光转换元件(6)与一次辐射源(1)间隔开地被布置在冷却体(3)上。发光转换元件(6)具有反射面(7，71，72)，所述反射面(7，71，72)将穿过发光转换元件(6)的未被该发光转换元件(6)吸收的一次辐射(5)反射回发光转换元件(6)中和/或将二次辐射(15)向发光转换元件(6)的光耦合输出面(601)的方向反射。

主权项

半导体光源，具有一次辐射源(1)，所述一次辐射源(1)在所述半导体光源运行中发出电磁一次辐射(5)；以及具有发光转换模块(2)，其中一次辐射(5)的至少一部分被耦合输入到所述发光转换模块中(2)，其中‑所述发光转换模块(2)包含发光转换元件(6)，所述发光转换元件(6)借助于至少一种发光材料把耦合输入的一次辐射(5)的至少一部分波长转换成二次辐射(15)；‑所述发光转换模块(2)与一次辐射源(1)间隔开地被布置在冷却体(3)上，且所述一次辐射源(1)被布置在所述发光转换模块(2)的侧面；以及‑所述发光转换模块(2)具有反射面(7，71，72)，所述反射面(7，71，72)将穿过发光转换元件(6)的未被所述发光转换元件(6)吸收的一次辐射(5)反射回发光转换元件(6)中和/或将二次辐射(15)向发光转换模块(2)的光耦合输出面(601)的方向反射，并且所述发光转换元件(6)具有单晶体形式的发光材料或者多晶体陶瓷材料形式的发光材料，而且所述发光转换元件(6)设置有反射层，该反射层至少拥有反射面(7，71，72)的分区域，并被至少部分地布置在该发光转换元件(6)与所述冷却体(3)之间，其中未散射的一次辐射(5)借助于在反射面(7，71，72)的相对区域处的锯齿形多次反射被传导通过发光转换元件(6)的中间区域。