| 发明名称 | 半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。 | ||
| 申请公布号 | CN102646609B | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201210031859.X | 申请日期 | 2012.02.13 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 清水浩三;冈本圭史郎;今泉延弘;今田忠纮;渡部庆二 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H02M7/217(2006.01)I;H02M3/155(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;董文国 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在所述半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的另一个，以及在所述半导体芯片安装区域中定位所述半导体芯片之后，形成包括具有所述第一金属和所述第二金属的合金的层以将所述半导体芯片与所述半导体芯片安装区域接合，其中具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的一个形成在所述半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的一个的整个表面上，和其中具有所述第一金属的层和具有所述第二金属的层中的另一个形成在所述半导体芯片安装区域和所述半导体芯片的背表面中的另一个的部分上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||