发明名称 TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置
摘要 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法,是TFT液晶面板(4,400)的物理性质测量方法,其具有:阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12),将所述TFT液晶面板(4,400)的TFT(4A,400A)的源极(42A,420A)-漏极(43A,430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值;电压施加步骤(步骤S2、步骤S13),对所述TFT液晶面板(4,400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压;物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15),测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流,测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。
申请公布号 CN104181711A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201410202980.3 申请日期 2008.01.16
申请人 东阳特克尼卡株式会社;夏普株式会社 发明人 井上胜;佐佐木邦彦;栗原直;久米康仁
分类号 G02F1/13(2006.01)I 主分类号 G02F1/13(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 舒艳君;李洋
主权项 一种TFT液晶面板的物理性质测量方法,是TFT液晶面板(4,400)的物理性质测量方法,其特征在于,具有:对所述TFT液晶面板(4,400)中的TFT(4A,400A)的栅极电极(41A、410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31);向所述TFT液晶面板(4,400)中的液晶层(4B,400B)中写入脉冲电压,且将所述TFT(4A,400A)的源极电极(42A,420A)的电位保持为地电平的步骤(步骤S22、步骤S32);检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B,400B)的电位的变化而测量所述液晶层(4B,400B)中的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33),所述液晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动,该电场由利用所述TFT(4A,400A)驱动的像素电极(4D,400D)、与该像素电极(4D,400D)对应地设置的共用电极(4C、400C)形成,对所述共用电极施加脉冲电压。
地址 日本东京都