| 发明名称 | 半导体装置和存储系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置包括芯片ID发生单元，芯片ID传输单元以及芯片层叠信息发生单元。芯片ID发生单元配置为产生芯片ID信号。芯片ID传输单元配置为基于其是否与另一芯片电耦合而将芯片ID信号输出至公共线。芯片层叠信息发生单元配置为响应于芯片ID信号而与公共线电耦合以及产生层叠信息信号。 | ||
| 申请公布号 | CN104183262A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310611670.2 | 申请日期 | 2013.11.26 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 边相镇 |
| 分类号 | G11C8/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C8/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：芯片ID发生单元，配置为产生芯片ID信号；芯片ID传输单元，配置为基于所述芯片ID传输单元是否与另一芯片电耦合而将所述芯片ID信号输出至公共线；以及芯片层叠信息发生单元，配置为响应于所述芯片ID信号而与所述公共线电耦合以及产生层叠信息信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||