| 发明名称 | 栅极结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极结构及其形成方法，所述栅极结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成依次形成栅介质层、位于栅介质层表面的缓冲层和位于缓冲层表面的栅极层，所述缓冲层的材料为无定形态。所述栅极结构及其形成方法可以降低晶体管的阈值电压的分布范围。 | ||
| 申请公布号 | CN104183475A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310190298.2 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成依次形成栅介质层、位于栅介质层表面的缓冲层和位于缓冲层表面的栅极层，所述缓冲层的材料为无定形态。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||