一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法，属于薄膜技术领域，具体包括以下步骤：首先清洗基片，吹干后备用；然后，将清洗后的基片放入真空腔室内，以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材，在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下，在基片上溅射厚度为100～120nm的薄膜；最后，将上述带薄膜的基片置于真空环境中，在氧气和氩气的混合气体气氛下、300～450℃温度下退火处理，退火处理完后，自然冷却至室温，得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜，且工艺简单，工艺可控性好，并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。

主权项

一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗基片，吹干后备用；步骤2：将清洗后的基片放入真空腔室内，以V‑Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材，在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下，在基片上溅射厚度为100～120nm的薄膜；步骤3：将步骤2得到的带薄膜的基片置于真空环境中，在氧气和氩气的混合气体气氛下、300～450℃温度下退火处理，退火处理完后，自然冷却至室温，得到所述掺钛的氧化钒薄膜。