一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管为由两个等边三角形单元组成的平行四边形芯片，所述平行四边形芯片包括依次层叠的生长衬底、发光外延结构及电流扩展层；所述两个等边三角形单元之间具有从所述电流扩展层至少贯穿至所述生长衬底、并将所述两个等边三角形单元的发光外延结构完全分离的出光走道；所述出光走道两侧的两个等边三角形单元分别形成有N电极制备平台，各该N电极制备平台表面形成有N电极，所述两个等边三角形单元的电流扩展层表面分别形成有P电极。本发明利用等边三角形芯片设计，通过增加芯片的周长，有效地提高了芯片的出光效率。本发明工艺简单，适用于工业生产。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构，并于所述发光外延结构表面形成电流扩展层；2）于所述发光外延结构中定义出多个由两个等边三角形单元组成的平行四边形芯片，于所述两个等边三角形单元之间制作出至少贯穿至所述生长衬底的出光走道，使所述两个等边三角形单元的发光外延结构完全分离；3）于所述出光走道两侧的发光外延结构中刻蚀出与所述两个等边三角形单元对应的两个N电极制备平台；4）于所述两个N电极制备平台表面分别形成N电极，于所述两个等边三角形单元的电流扩展层表面分别形成P电极；5）依据所定义的平行四边形芯片进行切割，获得相互独立的发光二极管芯片。