发明名称 半导体晶片表面保护用胶带
摘要 本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带,其中,在基材膜上具有粘合剂层,基材膜的总厚度为50μm~200μm,高弹性模量层厚度:低弹性模量层厚度之比为1:9~5:5,高弹性模量层配置在粘合剂层的背面,且为由聚丙烯或直链状的聚乙烯构成的厚度10μm以上的层,低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量%~20质量%、MFR为0.8g/10min~10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成,粘合剂层的厚度为10μm~50μm,在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50%以下。
申请公布号 CN104185896A 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201380012313.2 申请日期 2013.03.12
申请人 古河电气工业株式会社 发明人 横井启时;内山具朗
分类号 H01L21/304(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;庞东成
主权项 一种半导体晶片表面保护用胶带,其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带,其特征在于,所述基材膜的总厚度为50μm~200μm,其是由高弹性模量层与低弹性模量层构成的复合基材膜,该高弹性模量层与该低弹性模量层的厚度的比例、即高弹性模量层厚度:低弹性模量层厚度为1:9~5:5的范围,所述高弹性模量层配置在所述粘合剂层背面、即配置在基材膜的与涂布粘合剂层的面相反的面,且为由聚丙烯或直链状聚乙烯构成的厚度10μm以上的层,所述低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量%~20质量%、且MFR为0.8g/10min~10g/10min的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物构成,所述半导体晶片表面保护用胶带的所述粘合剂层厚度为10μm~50μm,在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50%以下。
地址 日本东京都