| 发明名称 | 生长在Cu衬底的AlN薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种生长在Cu衬底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和AlN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述AlN薄膜生长在AlN缓冲层上；所述Cu衬底以(111)面偏(100)方向0.5-1°为外延面。本实用新型通过对外延面的选择及AlN缓冲层缓的设置，获得晶体质量好的生长在Cu衬底的AlN薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN203983318U | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201420290387.4 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L31/0248(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 生长在Cu衬底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和AlN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述AlN薄膜生长在AlN缓冲层上；所述Cu衬底以111面偏100方向0.5‑1°为外延面。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||