发明名称 显示装置、阵列基板及其制造方法
摘要 本发明提供了一种显示装置、阵列基板及其制造方法。本发明在所述制造方法中,仅通过三次光刻工艺,即可形成所需要的图案,其中,通过一次光刻工艺就形成了包括半导体层图案和刻蚀阻挡层图案,相比于现有技术采用两次光刻工艺分别形成半导体层图案和刻蚀阻挡层图案的方法,能够减少一次光刻工艺,从而可以大大降低成本并提高生产效率。
申请公布号 CN102709239B 申请公布日期 2014.12.03
申请号 CN201210119036.2 申请日期 2012.04.20
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 刘翔
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 黄灿;姜精斌
主权项 一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在基板上形成栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层;在形成有所述栅电极和栅极线的图案及栅绝缘层的基板上,形成金属氧化物半导体层,以及在所述金属氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶层,并通过一次半色调或灰色调掩膜板曝光及显影处理,形成所述第一光刻胶层的完全保留区域、未保留区域以及部分保留区域;刻蚀去除所述第一光刻胶层的未保留区域的刻蚀阻挡层和半导体层,以形成半导体层图案,以及,通过一次光刻胶灰化工艺,去除所述第一光刻胶层的部分保留区域的光刻胶以暴露刻蚀阻挡层,进而刻蚀所暴露的刻蚀阻挡层以形成半导体层与源、漏电极的接触区;在形成有所述半导体层图案和接触区的基板上,继续形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图案。
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