大功率整晶圆IGBT封装结构

摘要

本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极板定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3），在所述过渡电极（2）的上方自上而下依次压接有上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6），在过渡电极（2）的门极针定位孔（2-1）内设置有弹性门极针单元（2-4）。本发明降低了封装装配的复杂程度，增加了电极接触面积，提高了器件工作时的散热效果，提高了器件门极驱动的可靠性。

主权项

一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰（1‑1）、瓷环（1‑2）和阳极密封圈（1‑3），在所述阳极密封圈（1‑3）内同心焊接有阳极电极（1‑4），在所述瓷环（1‑2）的壳壁上穿接有门极引线管（1‑5），在所述门极引线管（1‑5）的内、外端分别焊接有门极内插片（1‑7）和门极外插片（1‑6），所述上盖（3）包含有阴极电极（3‑1）和阴极法兰（3‑2），所述阴极法兰（3‑2）同心焊接在阴极电极（3‑1）的外缘上；所述过渡电极（2）置于阳极电极（1‑4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2‑1）、门极板定位槽（2‑2）和芯片定位孔（2‑3），在所述过渡电极（2）的上方自上而下依次压接有上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6），在所述上钼片（4）、整晶圆芯片（5）和下钼片（6）上均设置有与过渡电极（2）上相应的芯片定位孔（2‑3），在所述下钼片（6）上还设置有门极针预留孔（6‑1），在所述各部件的芯片定位孔（2‑3）内插置有定位插销，在过渡电极（2）的门极针定位孔（2‑1）内设置有弹性门极针单元（2‑4），所述弹性门极针单元（2‑4）包括塑料模架（2‑4‑1）和多个弹性门极针（2‑4‑2），在所述塑料模架（2‑4‑1）上开有与弹性门极针（2‑4‑2）数量相同的弹性门极针定位孔（2‑4‑3），所述弹性门极针（2‑4‑2）插置于弹性门极针定位孔（2‑4‑3）内，所述弹性门极针（2‑4‑2）的上端穿过门极针预留孔（6‑1）与整晶圆芯片（5）上的门极弹性压接，在所述过渡电极（2）的门极板定位槽（2‑2）内设置有门极引出板（2‑5），所述门极引出板（2‑5）的下端面与阳极电极（1‑4）的上表面接触，上端面与弹性门极针（2‑4‑2）的下端弹性压接，并与门极内插片（1‑7）相焊接。