抗蚀剂底层组成物、图案形成方法及含有图案的半导体积体电路装置;RESIST UNDERLAYER COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERNS AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING THE PATTERNS

摘要

揭露一种抗蚀剂底层组成物，抗蚀剂底层组成物包括化合物与溶剂，所述化合物包含由下列化学式1表示的部分。;在上述化学式1中，A 1 至A 3 、X 1 、X 2 、L 1 、L 2 、Z以及m与说明书中所定义的相同。