钝化膜之成膜方法、以及太阳电池元件之制造方法

摘要

以提供一种形成能够对于由于载子之再结合所导致的损失充分地作抑制之钝化膜的成膜方法、以及使用有此之太阳电池元件之制造方法一事，作为课题。具备有：载置部(22)，系将成膜对象作载置；和高频电源(25)；和喷淋板(23)，系以与被载置于载置部(22)处之成膜对象(S)相对向的方式而被设置，而将成膜气体作导入，并且，系被连接有高频电源，而被施加有高频之电压，在喷淋板或是基板载置部处，系被连接有施加低频之电压的低频电源(26)。使用此成膜装置，而实施钝化膜之成膜方法。

主权项

一种成膜方法，系为将矽、和包含有从氮以及氧中所选择之至少一种的成膜气体作导入，并将导入此成膜气体之喷淋板作为放电电极，而从设定频率为13.56~27.12MHz之高频电源来施加高频之电压，以在喷淋板和太阳电池元件之间使电浆产生，并在前述太阳电池元件之扩散层处成膜钝化膜之成膜方法，其特征为：在成膜时，系进而一面从设定频率为20~400kHz之低频电源来将低频之电压施加在喷淋板或是前述扩散层处，一面在前述扩散层上成膜具有正的固定电荷之钝化膜，并且，前述低频电源之投入电力，系为前述高频电源之投入电力的14~37%。