修补方法

摘要

一种画素结构包括一扫描线、一闸极、一共用配线、一第一介电层、一通道层、一源极、一汲极、一资料线、一电容耦合电极、一第二介电层与一画素电极。其中，闸极、共用配线与扫描线配置于基板上，且闸极与扫描线电性连接。共用配线具有至少一第一开口，且第一开口至少部分位于资料线与电容耦合电极之间。通道层配置于闸极上方之第一介电层上。源极与汲极配置在通道层上。电容耦合电极配置于共用配线上方之第一介电层上，并与汲极电性连接。本发明之画素电极配置于第二介电层上，并与电容耦合电极电性连接。

主权项

一种修补方法，适于对一画素结构进行修补，该画素结构适于配置于一基板上，且该画素结构包括：一扫描线；一闸极，与该扫描线配置于该基板上，且该闸极与该扫描线电性连接；一共用配线，具有至少一第一开口，且该共用配线配置于该基板上；一第一介电层，覆盖该扫描线、该闸极与该共用配线；一通道层，配置于该闸极上方之该第一介电层上；一源极与一汲极，配置在该通道层上；一资料线，配置于该第一介电层上，且该资料线与该源极电性连接；一电容耦合电极，配置于该共用配线上方之该第一介电层上，且该电容耦合电极与该汲极电性连接，其中该共用配线之第一开口至少部分位于该资料线与该电容耦合电极之间；一第二介电层，覆盖该源极、该汲极与该资料线；以及一画素电极，配置于该第二介电层上，且该画素电极与该电容耦合电极电性连接，当该资料线与该电容耦合电极连接时，该修补方法包括：透过该第一开口，切割该资料线与该电容耦合电极之连接处。