| 发明名称 |
用于介电薄膜之促进速率之化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物 |
| 摘要 |
本发明提供一种化学机械抛光组合物，其主要由矽石、氧化剂、四级铵化合物，及水组成。本发明进一步提供一种使用前述抛光组合物化学机械抛光一基板之方法。当用以抛光介电薄膜时，该抛光组合物提供促进之抛光效率。 |
| 申请公布号 |
TWI462999 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW096124183 |
申请日期 |
2007.07.03 |
| 申请人 |
卡博特微电子公司 美国 |
发明人 |
罗伯 法凯西;班杰明 贝尔;陈湛;杰佛瑞Ｐ 钱伯兰 |
| 分类号 |
C09K3/14;H01L21/304 |
主分类号 |
C09K3/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种用于抛光包含绝缘层且进一步包含金属之基板之化学机械抛光组合物，其主要由以下各物组成：(a)矽石，其具有10nm至40nm之平均一阶粒径；(b)氧化剂，其系过氧化氢与铁(III)化合物之组合；(c)四级铵化合物，其包含具有结构R1R2R3R4N+之阳离子，其中R1、R2、R3及R4系独立地由C2-C6烷基及C7-C12芳基烷基组成之群中选出；(d)稳定剂，其包含有机酸；及(e)水，其中该抛光组合物具有1至5之pH值。 |
| 地址 |
美国 |
