发明名称 |
覆晶式LED晶片 |
摘要 |
一种覆晶式LED晶片,包括:基板以及沿水平方向依次设置在基板的正面上的正电极、负电极、和隔离区,水平方向为与基板的正面平行的方向,隔离区在基板的正面上的垂直投影位在正电极和负电极在基板的正面上的垂直投影之间,隔离区在水平方向上的中心线与覆晶式LED晶片在水平方向上的中轴线重叠,且隔离区在水平方向上的宽度不超过覆晶式LED晶片在水平方向上的宽度的三分之一。隔离区具有较适宜的宽度,在实现正电极和负电极的隔离的同时,不仅能获得较高的发光效果,还能有效避免在晶片封装工艺中因高温等原因造成的正电极和负电极电性导通。 |
申请公布号 |
TWM491256 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW102223594 |
申请日期 |
2013.12.13 |
申请人 |
东莞市正光光电科技有限公司 中国 |
发明人 |
吴裕朝;吴冠辰;刘艳 |
分类号 |
H01L33/48 |
主分类号 |
H01L33/48 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种覆晶式LED晶片,包括:一基板;以及沿水平方向依次设置在所述基板的正面上的一正电极、一负电极、和一隔离区,其中,所述水平方向为与所述基板的正面平行的方向,所述隔离区在所述基板的正面上的垂直投影位在所述正电极和负电极在所述基板的正面上的垂直投影之间,所述隔离区在所述水平方向上的中心线与所述覆晶式LED晶片在所述水平方向上的中轴线重叠,且所述隔离区在所述水平方向上的宽度不超过所述覆晶式LED晶片在所述水平方向上的宽度的三分之一。 |
地址 |
中国 |