发明名称 半导体装置之制造方法及半导体装置;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 本发明使半导体装置之可靠性提高。将逻辑晶片(第1半导体晶片)LC、积层体(第2半导体晶片)MCS依序积层于配线基板2上。藉由形成于配线基板2之对准标记50a及形成于逻辑晶片LC之正面3a之对准标记50b而进行位置对准之后,将逻辑晶片LC搭载于配线基板2上。另一方面,藉由形成于逻辑晶片LC之背面3b之对准标记50c及形成于积层体MCS之正面3a之对准标记50d而进行位置对准之后,将积层体MCS搭载于逻辑晶片LC之背面3b上。
申请公布号 TW201445681 申请公布日期 2014.12.01
申请号 TW103107287 申请日期 2014.03.04
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 木下顺弘
分类号 H01L23/12(2006.01);H01L23/544(2006.01) 主分类号 H01L23/12(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 日本