单晶矽半导体晶圆及其制造方法;SEMICONDUCTOR WAFER COMPOSED OF MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING IT

摘要

本发明系关于一种单晶矽半导体晶圆及其制造方法。该半导体晶圆具有一不含BMD缺陷且从半导体晶圆的正面延伸至半导体晶圆块体内的区域DZ，以及一含有BMD缺陷且从DZ进一步延伸至半导体晶圆块体内的区域。该方法包括根据柴可斯基法提拉一矽单晶，加工该单晶以形成一经抛光的单晶矽基底晶圆，迅速加热和冷却该基底晶圆，缓慢加热该经过迅速的加热和冷却的基底晶圆，及使该基底晶圆保持在一特定的温度下历时一特定的时间。