发明名称 导电膜形成用组成物及使用其的导电膜的制造方法;COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF PRODUCING CONDUCTIVE FILM BY USING THE SAME
摘要 本发明提供一种可形成导电性优异、且空隙少的导电膜的导电膜形成用组成物,其含有氧化铜粒子(A)、作为铜前驱物的铜错合物(B)、热塑性聚合物(C)、及溶剂(D),铜错合物(B)所含的配位子包含通式(1)所示的化合物:
申请公布号 TW201444854 申请公布日期 2014.12.01
申请号 TW103111352 申请日期 2014.03.27
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 津山博昭;加纳丈嘉;早田佑一
分类号 C07F1/08(2006.01);C09D5/24(2006.01);C09D7/12(2006.01);C08J3/28(2006.01);H05K1/09(2006.01);H05K3/12(2006.01);H05B33/26(2006.01) 主分类号 C07F1/08(2006.01)
代理机构 代理人 <name>叶璟宗</name><name>郑婷文</name><name>詹富闵</name>
主权项
地址 日本