半导体装置及制造方法

摘要

一种用于制造半导体装置的方法被揭露。该方法包括相继地在一基体上形成一第一半导体层、一第二半导体层与一包含一p-型杂质元素的半导体顶盖层；在该半导体顶盖屠的形成之后形成一具有一开孔的介电层；在从该介电层之开孔露出的半导体顶盖层上形成一包含一p-型杂质元素的第三半导体层；及在该第三半导体层上形成一闸极电极。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，该方法包含：于一基体上相继地形成一第一半导体层、一第二半导体层和一含一p-型杂质元素的半导体顶盖层；在该半导体顶盖层的形成之后形成一具有一开孔的介电层；在从该介电层之该开孔露出的该半导体顶盖层上形成一含有一p-型杂质元素的第三半导体层；及在该第三半导体层上形成一闸极电极。