| 发明名称 |
积体电路装置的制造方法 |
| 摘要 |
本发明系提供一种具有氮化钛铝润湿/阻障层之金属堆叠及其制造方法。在一实施例中，积体电路装置包含一半导体基材及一闸极堆叠设置于此半导体基材上。金属堆叠包含一闸极介电层设置于此半导体基材上；一功函数层设置于此闸极介电层上；一多功能润湿/阻障层设置于此功函数层上；及一导电层设置于此多功能润湿/阻障层上，其中此多功能润湿/阻障层系为一氮化钛铝层。 |
| 申请公布号 |
TWI463664 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW101103226 |
申请日期 |
2012.02.01 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
张简旭珂;吴斯安;王英郎;刘继文 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种积体电路装置之制造方法，包括：形成一闸极结构于一半导体基材上，其中该闸极结构包含一高介电常数介电层设置于该半导体基材上及一虚置闸极设置于该高介电常数介电层上；自该闸极结构中移除该虚置闸极而形成一开口；形成一功函数层于该高介电常数介电层上；形成一多功能润湿/阻挡层于该功函数层上；以及形成一导电层于该多功能润湿/阻挡层上，其中该功函数层、该多功能润湿/阻挡层及该导电层填满该开口，且该多功能润湿/阻挡层系为一氮化钛铝层，其中该形成一多功能润湿/阻挡层于该功函数层上之步骤包含进行一物理气相沉积制程，其中进行该物理气相沉积制程之步骤包含调控该物理气相沉积制程在腔室压力为约20mTorr至约40mTorr之条件下进行。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
